NE85630-A datasheet
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NE85630-A
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 datasheet 分离式半导体产品
型号:
NE85630-A
库存数量:
210
制造商:
CEL
描述:
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
RoHS:
无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
NE85630-A PDF下载
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
频率 - 转换
4.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率)
1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益
6dB ~ 12dB
功率 - 最大
150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 7mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商设备封装
SOT-323
包装
散装
相关资料
属性
链接
代理商
NE85630-A
NE85630-R24-A
NE85630-R25-A
NE85630-T1
NE85630-T1-A
NE85630-T1-R24-A
供应商
公司名
电话
北京首天伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
北京力通科信电子有限公司
13661385246
韩小姐
深圳市科宏特电子有限公司
18897698645
李瑞兵
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
17722658994
丽丽
深圳市芯睿晨科技有限公司
0755-82571496
李小姐/肖先生
深圳市佳斯泰科技有限公司
13410012158
廖小姐
深圳市一线半导体有限公司
0755-88608801
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
NE85630-A 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
1.392
1.392
10
1.2276
12.276
100
0.9702
97.02
250
0.851424
212.856
500
0.7524
376.2
1,000
0.594
594
2,500
0.5544
1386
5,000
0.52668
2633.4
10,000
0.5049
5049
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